Sharp stellt Kombinationsspeicher mit hohem Durchsatz für Mobiltelefone der dritten Generation vor

Sharp stellt Kombinationsspeicher mit hohem Durchsatz für Mobiltelefone der dritten Generation vor
Anonim

Sharp Corporation hat eine Hochgeschwindigkeits-Kombination aus Flash- und SCRAM-Speicher mit einem Durchsatz von 320 MBit / s (Bytes / Sekunde) entwickelt, was mehr als der dreifachen Übertragungsrate des Vorgängermodells entspricht. Der Hochgeschwindigkeitsspeicher LRS1887 eignet sich optimal für Mobiltelefone der dritten Generation sowie für andere Anwendungen, die eine Hochgeschwindigkeitsübertragung großer Datenmengen erfordern. Sharp liefert derzeit Muster des LRS1887 aus und wird im Juli 2005 mit der Massenproduktion beginnen.

Da sich Mobiltelefone der dritten Generation mit immer höheren Netzwerkgeschwindigkeiten weiterentwickeln, wird die Hardware von Mobiltelefonen mit höher auflösenden Megapixel-CCD-Kameras, Full-Motion-Videofunktionen und verschiedenen Softwareanwendungen immer anspruchsvoller. Daher erfordern diese erweiterten Mobiltelefonfunktionen schnellere Verarbeitungsgeschwindigkeiten für Daten mit großer Kapazität.

Dieser neu entwickelte LRS1887-Hochleistungs-Flash / SCRAM-Kombinationsspeicher mit 512 MBit verwendet einen AD-Bus, der den Adressbus, der das Speicherzugriffsziel angibt, auf den Datenbus multiplext, der Daten zum CPU-Chip überträgt. Diese Architektur ermöglicht Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungen mit Geschwindigkeiten von bis zu 320 MBit / s, ohne die Anzahl der für externe Verbindungen erforderlichen Pins zu erhöhen und die 32-Bit-Busbreite beizubehalten.

Die Integration dieses Geräts in Produktdesigns ermöglicht Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungen, erleichtert den reibungslosen Betrieb bei datenintensiven Anwendungen wie der 3D-Grafikverarbeitung und trägt zur Weiterentwicklung der Funktionalität von Mobiltelefonen bei.